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Abner de Siervo

Ciências Exatas e da Terra

Física
  • crescimento de monocamadas de dicalcogenetos de metais de transição por mbe e pvd e sua caracterização eletrônica e estrutural
  • Semicondutores de materiais bidimensionais formados por dicalcogenetos de metais de transição (TMD) têm sido extremamente estudados nos últimos anos. As técnicas mais empregadas para se obter algumas camadas são a esfoliação mecânica e o método de crescimento CVD, os quais não permitem o escalonamento para produção industrial de dispositivos optoeletrônicos. Neste projeto propomos o crescimento dos TMDs tais como MoTe2, HfTe2, MoS2 e HfS2 utilizando uma combinação de métodos de crescimento: Molecular Beam Epitaxy (MBE) e Physical Vapor Deposition (PVD). Os principais substratos de interesse serão superfícies bem ordenadas e monocristalinas tais como o sobre Gr/Ir(111) e Gr/Sic(0001) além de monocristais metálicos tais como o Au(111) e Au(788), este último com o intuito de induzir o crescimento de nanofitas de TMD. A caracterização estrutural e eletrônica dos filmes será feita por espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS) e difração de fotoelétrons (XPD) (se o filme apresentar ordenamento azimutal), além de caracterização estrutural via microscopia de tunelamento de elétrons (STM). Técnicas complementares como Raman e ARPES (no sincrotron) serão empregadas para as melhores amostras. Ao final objetivamos estabelecer métodos de crescimento de monocamadas híbridas (TMD1+TMD2) ou TMD/Gr e ainda TMD/isolante (o caso do h-BN).
  • Universidade Estadual de Campinas - SP - Brasil
  • 18/02/2019-28/02/2022